GaN用基板ScAlMgO4:直径50 mm無転位単結晶引き上げに成功

2019年8月2日 プレスリリース

– InGaNと格子不整合無し、かつ基板自体に転位無しの新規基板創成－・直径50 mm（2インチ）の無転位単結晶の作成に成功・GaNと格子不整合が小さく、またInGaNとは格子不整合が無く、かつ基板結晶自体に […]