研究成果のプレスリリースが掲載されました

立命館大学のホームページに、当社と共同開発した研究成果のプレスリリースが掲載されましたので、以下のURLからご参照下さい。

分子線エピタキシー法によるScAlMgO4基板上GaNテンプレート開発に成功
直径65mm SAM基板上GaNテンプレートの評価用テストウェハ供給を開始予定
SAM基板に格子整合するInGaNテンプレート(2インチ)の開発にも着手

https://www.ritsumei.ac.jp/profile/pressrelease_detail/?id=803