研究成果のプレスリリースが掲載されました | 株式会社福田結晶技術研究所

立命館大学のホームページに、当社と共同開発した研究成果のプレスリリースが掲載されましたので、以下のURLからご参照下さい。

分子線エピタキシー法によるScAlMgO₄基板上GaNテンプレート開発に成功
直径65mm SAM基板上GaNテンプレートの評価用テストウェハ供給を開始予定
SAM基板に格子整合するInGaNテンプレート（2インチ）の開発にも着手

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