GaN用基板ScAlMgO4:直径50 mm無転位単結晶引き上げに成功

– InGaNと格子不整合無し、かつ基板自体に転位無しの新規基板創成－
・直径50 mm（2インチ）の無転位単結晶の作成に成功
・GaNと格子不整合が小さく、またInGaNとは格子不整合が無く、
かつ基板結晶自体に転位が無い新規基板創成