Ni 単結晶
Ni 単結晶基板材料･構造材料
特徴
- 単結晶（CZ法による独自の結晶育成技術）
- 大口径6“φインゴット作製、8“φインゴットも作製可能
- グラフェンに対する格子不整合率小（不整合率 1.3%）
用途
- ダイヤモンド用基板(1)
- GaN 用基板、InN 用基板
- グラフェン用基板、h-BN用基板
利用が期待される用途
グラフェン用の基板
(グラフェン / Ni)
GaN用基板
(GaN / h-BN / Ni)
参考文献
(1) 鈴木一博、ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長の基板整合性、ポストシリコン半導体
～ナノ成膜ダイナミクスと基板･界面効果～、(株)エヌ・ティー・エス、298-309 (2013).
(2) K. S. Kim et al., Nature, 457, 706–710 (2009).
(3) Yu S. Dedkov and M. Fonin, New J. Phys., 12, 125004 (2010) .
(4) T. Fukuda, T. Matsuoka, and S. Suzuki, 10th Intern. Conf. Polish Soc. for Crystal Growth (ICPSCG10),
(Zakopane, Poland, Oct. 15 – 21, 2016).
現在開発中のその他金属単結晶
- Cu単結晶
- Fe-Al合金単結晶
- 超磁歪Fe2Tb0.27Dy0.73合金単結晶など
