福田結晶技術研究所 電話番号 022-303-0170

Ni 単結晶基板材料・構造材料

特徴

  • 単結晶材料(CZ法による独自の結晶育成技術)
  • 大口径6″φインゴット作成
  • グラフェンと格子不整合率小(不整合率 1.3%)

用途

  • ダイヤモンド用基板
  • グラフェン用基板
  • GaN用基板
  • Ni基超合金単結晶
Ni単結晶インゴット
(右上) 4″φ (左上) 6″φ(下) 2″φ

利用が期待される用途

ダイヤモンド用の基板
(ダイアモンド / Ni)

ダイヤモンドウエハの模式図(1)

グラフェン用の基板
(グラフェン / Ni)

グラフェンウエハの模式図(3)

GaN用基板 
(GaN / h-BN / Ni)

GaN自立基板作製の模式図(4)

Ni単結晶育成技術を応用した
耐腐食Ni基超合金単結晶

参考文献

(1)鈴木一博、ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長の基盤整合性、ポストシリコン半導体 ~ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果~、(株)エヌ・ティー・エス、298-309
(2) Keun Soo Kim, Byung Hee Hong, et al., Nature volume 457, 706–710 (2009)
(3) Yu S Dedkov, M Fonin, New Journal of Physics, Volume 12, 125004, (2010)
(4) T. Fukuda, T. Matsuoka, S. Suzuki, 10th Intern. Conf. on Polish Soc. for Crystal Growth (ICPSCG10), Zakopane, Poland, 15 Oct – 21 Oct 2016

現在開発中のその他金属単結晶

  • Fe単結晶(Si ドープ)Fe0.94Si0.06単結晶 磁性材料
  • FeSi 単結晶 基板材料
  • Cu単結晶 グラフェン基板
  • Fe-Al 合金単結晶 磁歪材料
  • Fe2Tb0.27Dy0.73合金単結晶 超磁歪合金単結晶
Fe単結晶(Siドープ)
FeSi単結晶
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