福田結晶技術研究所 電話番号 022-303-0170

注目されている分野と成果

 LED用サファイアを始め、数々のバルク単結晶開発支援を行い、デバイス、製品化につなげてきましたが、最近では新しい成果としてSiを凌駕する結晶性の高いScAlMgO4単結晶およびGaNエピタキシャル成長用のScAlMgO4基板(1)をはじめ、逆磁歪方式振動発電用Fe-Ga単結晶(2)、更にグラフェンとの相性の良いNiの大型単結晶開発に成功し(3)、世界の先端技術として注目されつつあります。産学官の連携を強めて、弊社の基板と連携先のエピタキシャル成長技術で新製品の創成も図っています。

(1) 2019年 8 月 2日 弊社のプレスリリース「GaN用基板ScAlMgO4(略称SAM直径50mm無転位単結晶引き上げに成功」
(2) 2018年 10 月 15 日 東北大学と金沢大学、弊社との共同のプレスリリース「Fe-Ga 単結晶の板材の低コスト量産製造技術を確立」
(3)藤井 高志、福田 承生、杉山 和正、CZ法による直径100mm径金属Ni単結晶の育成・加工と評価、応用物理学会秋季学術講演会、東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9日

主なプロジェクト実績

貢献・新聞雑誌等への発表記録

学会発表

期間タイトル著者場所学会
20192019/9/18-21CZ法による直径3インチScAlMgO4単結晶作製白石 裕児、南都 十輝、福田 承生、家地 洋之北海道大学 札幌山キャンパス2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会
20192019/9/18-21CZ法ScAlMgO4(SCAM)結晶のX線トポグラフ観察と光学特性評価藤井 高志、福田 承生、荒木 努、杉山 和正、石地 耕太朗、杉江 隆一北海道大学 札幌山キャンパス2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会
20192019/9/18-21二重坩堝式CZ法による直径8インチMgF2単結晶作成と複合フッ化物直径4インチLiCAF単結晶作成高橋 和也、福田 承生、猿倉 信彦 北海道大学 札幌山キャンパス2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会
20192019/9/18-21Ce:YAG/Al2O3 MGCの蛍光特性- μPD法作成とCZ法作成の比較-熊谷 毅、高橋 和也、安藤 宏孝、志村 玲子、福田 承生北海道大学 札幌山キャンパス2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会
20192019/3/20-22ユニモルフU字型振動発電デバイスに搭載したFe-Ga合金単結晶の磁区観察藤枝 俊、高橋 巧、志村 玲子、鈴木 茂、福田 承生東京電機大学 東京千住キャンパス日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会
20192019/3/20-22Fe-Ga合金単結晶材料を用いた振動発電装置における磁区構造変化の結晶方位依存性高橋 巧、志村 玲子、鈴木 茂、藤枝 俊、福田 承生東京電機大学 東京千住キャンパス日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会
20192019/3/9-12CZ法による直径100mm径金属Ni単結晶の育成・加工と評価藤井 高志、渡邊 清和、高橋 和也、熊谷 毅、福田 承生、松岡 隆志、川又 透、杉山 和正東京工業大学 大岡山キャンパス2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
20192019/3/9-12直径4インチのFe-Ga合金単結晶開発とFe-Ga磁歪発電の結晶方位依存性志村 玲子、高橋 巧、熊谷 毅、川又 透、藤枝 俊、鈴木 茂、福田 承生東京工業大学 大岡山キャンパス2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
20172017/3/14-17バルク結晶作成技術と結晶物性福田 承生パシフィコ横浜2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
20172017/3/14-17X線CTR散乱によるScAlMgO4(0001)劈開面の構造解析花田 貴、田尻 寛男、坂田 修身、福田 承生、松岡 隆志パシフィコ横浜2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
20172017/10/15Growth of Emerging Materials for Electronics by Advanced Growth Technique Based on the Carrier over Half CenturyTsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka, Shigeru Suzuki, and Kazumasa SugiyamaChangchun, ChinaThe 7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
20162016/10/15-21Large-scale Crystal Growth of Emerging Materials for Electronics
by Advanced Czochralski Technique
T. Fukuda, T. Matsuoka, and S. Suzuki Zakopane, Poland10th Intern. Conf. on Polish Soc. for Crystal Growth (ICPSCG10)
20162016/10/15-21Novel Approach to Fabrication of Free-standing GaN Wafer for Transistors Enabling Energy SavingT. Matsuoka, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada and T. Fukuda Zakopane, Poland10th Intern. Conf. on Polish Soc. for Crystal Growth (ICPSCG10)
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