GaN用基板ScAlMgO4:直径50 mm無転位単結晶引き上げに成功

2019年8月2日

– InGaNと格子不整合無し、かつ基板自体に転位無しの新規基板創成－・直径50 mm（2インチ）の無転位単結晶の作成に成功・GaNと格子不整合が小さく、またInGaNとは格子不整合が無く、かつ基板結晶自体に […]

Fe-Ga単結晶の板材の低コスト量産製造技術を確立

2018年10月15日

電池を代替する振動発電デバイスの大幅コスト低減が実現、各分野のIoT実用化が加速Fe-Ga単結晶の大型結晶の製造に成功しました。